STF16N60M2

STF16N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）与12A（Tc）的连续漏极电流处理能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了优异的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至320毫欧（@6A），有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，典型值19nC @10V）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关瞬态，有助于提升系统效率与工作频率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动及工业变频等高效能功率转换设计的理想选择。

• 型号:STF16N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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