STF16N65M5技术参数详情：
STF16N65M5是ST意法半导体推出的MDmesh V系列N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压额定值，结合优化的低导通电阻与栅极电荷，旨在实现高效率的功率开关操作。
其电气参数显示，在壳温条件下可支持12A的连续漏极电流，最大结温达150°C，确保了在高温环境下的可靠工作能力。这些特性使其成为适用于开关电源、电机驱动及工业逆变器等中高功率密度应用的稳健选择。
- 型号:STF16N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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