STP7NK80Z

STP7NK80Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其800V的漏源击穿电压（Vdss）与低至1.8欧姆的导通电阻（Rds(on)）的良好结合，这得益于先进的芯片技术，旨在显著降低导通损耗，提升功率转换效率。

器件在10V驱动电压下，栅极电荷（Qg）典型值仅为56nC，有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗。其采用TO-220AB通孔封装，最大功率耗散能力达125W（Tc），连续漏极电流为5.2A（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在 demanding 应用环境下的鲁棒性和长期可靠性。

• 型号:STP7NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1138 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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