STF17NF25

STF17NF25是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于250V的漏源击穿电压（Vdss）与17A的连续漏极电流（Id）能力，为功率系统提供了坚实的电压与电流处理基础。

为实现高效率，该MOSFET在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至165毫欧，能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为29.5nC，有利于实现快速的开关切换，减少动态损耗。器件采用TO-220FP通孔封装，最大功耗25W，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保了在各种环境下的可靠性与耐用性。

• 型号:STF17NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 17A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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