STGWA15H120DF2技术参数详情：
STGWA15H120DF2是ST意法半导体推出的一款1200V、15A额定电流的沟槽型场截止IGBT，采用TO-247-3封装。该器件核心优势在于其优化的性能平衡，集射极饱和压降低至2.6V @ 15A，有效降低了导通损耗，同时具备较低的开关能量和栅极电荷，有助于提升系统开关频率并简化驱动设计。
其电气规格坚实可靠，最大集电极电流达30A，脉冲电流能力为60A，结温工作范围覆盖-55°C至175°C，确保了在恶劣工况下的稳定性和耐久性。这些特性使其成为工业电机驱动、太阳能逆变器及UPS等中功率高压应用的高效、可靠解决方案。
- 型号:STGWA15H120DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，15A
- 功率 - 最大值:259 W
- 开关能量:380J（导通），370J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:67 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/111ns
- 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):231 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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