STF18N60M6技术参数详情：
STF18N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh M6产品系列。该器件设计用于高压、高效率的开关应用，其核心优势在于结合了600V的漏源电压（Vdss）额定值与13A的连续漏极电流（Id）能力。
其技术亮点包括极低的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（Qg），分别低至280毫欧（@10V， 6.5A）和16.8nC（@10V），这直接转化为更低的传导与开关损耗，有助于提升整体系统能效并支持更高频率的设计。器件采用TO-220FP封装，提供良好的热性能，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保在工业环境下的稳定运行。
- 型号:STF18N60M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 6.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.8 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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