STI12N65M5技术参数详情：
STI12N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAK通孔封装，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）以及8.5A（Tc）的连续漏极电流能力，为高压应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于通过先进的工艺实现了低导通损耗与快速开关特性的结合。具体表现为，在10V驱动下导通电阻（Rds(on)）低至430毫欧（@4.3A），同时栅极电荷（Qg）最大值仅为22nC。这些参数共同确保了器件在开关电源和电机驱动等电路中，能够有效降低导通与开关损耗，提升系统整体效率。其最高结温为150°C，展现了良好的热可靠性。
- 制造商产品型号：STI12N65M5
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：MDmesh V
- 零件状态：停产
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：650V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：8.5A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：430 毫欧 @ 4.3A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：900pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：I2PAK
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