STF20N20

STF20N20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用TO-220FP通孔封装，核心电气参数包括200V的漏源电压（Vdss）和18A的连续漏极电流（Id），为功率开关应用提供了坚实的电压与电流基础。

其技术优势主要体现在低损耗特性上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为125毫欧 @ 10A，能有效降低导通状态下的功率耗散。同时，39nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗。这些特性共同优化了器件在频繁开关状态下的整体效率。

该器件设计工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散为25W（Tc），确保了在 demanding 环境下的稳定性和可靠性，适用于开关电源、电机驱动及各类功率转换系统。

• 型号:STF20N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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