STGF4M65DF2技术参数详情：
STGF4M65DF2是ST意法半导体M系列中的一款650V、8A沟槽栅场截止型IGBT，采用标准的TO-220-3通孔封装。该器件集成了先进的沟槽栅与场截止技术，旨在实现低导通损耗与快速开关特性的理想平衡。
其核心电气参数表现突出：在15V栅极电压、4A集电极电流条件下，饱和压降典型值低至2.1V，显著降低了导通功耗。同时，其开关能量（40J开启，136J关断）与快速的开关延迟时间确保了在高频应用中的高效能。宽广的-55°C至175°C结温工作范围，使其能够适应苛刻的环境要求。
综合来看，STGF4M65DF2以其高耐压、低损耗和稳健的开关性能，为工业电机驱动、UPS、光伏逆变器等中功率应用提供了一个高效可靠的功率开关解决方案。
- 型号:STGF4M65DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 8A TO-220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:8 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A
- 功率 - 最大值:23 W
- 开关能量:40J（导通），136J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:15.2 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns
- 测试条件:400V，4A，47 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):133 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:TO-220FP
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