STF20N60M2-EP

STF20N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2-EP产品系列。该器件采用TO-220FP绝缘封装，关键电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其核心优势在于MDmesh M2-EP技术带来的优异开关性能与低导通损耗的结合。器件在10V栅极驱动下，具有优化的低栅极电荷（Qg），这有助于实现高速开关并降低驱动损耗。同时，其高达150°C的最大结温确保了在恶劣热环境下的稳定运行。这些特性使其成为提升开关电源、电机驱动和工业电源系统效率与可靠性的关键元件。

• 型号:STF20N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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