STF20N65M5技术参数详情：
STF20N65M5是ST意法半导体MDmesh V系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。该器件核心特性包括650V的高漏源电压（Vdss）和18A（Tc）的连续漏极电流额定值，为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其关键性能优势体现在极低的导通损耗和优异的开关特性上。在10V Vgs驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为190毫欧，同时栅极电荷（Qg）被优化至45nC，这共同确保了在高频开关电源中实现高效率与低热耗散。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和功率转换系统中提升能效和功率密度的可靠组件。
- 型号:STF20N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 18A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1345 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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