STF20NF20技术参数详情：
STF20NF20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET产品系列。该器件设计用于提供高效的功率开关功能，其核心参数包括200V的漏源电压（Vdss）和25°C壳温下18A的连续漏极电流处理能力，确保了其在多种中高功率应用中的适用性。
该器件的关键卖点在于其优化的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（RdsOn）最大值仅为125毫欧 @ 10A，有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值39nC @ 10V）有助于实现快速的开关切换，从而减少开关损耗并提升系统效率。其采用TO-220FP通孔封装，支持高达30W的功率耗散，并具备-55°C至175°C的宽结温工作范围，保证了出色的热管理和环境适应性。
- 型号:STF20NF20
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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