STF20NM60D技术参数详情：
STF20NM60D是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心参数包括600V的漏源击穿电压和20A的连续漏极电流，为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其关键优势在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻典型值低至290毫欧，配合仅37nC的栅极电荷，有效降低了传导与开关损耗。这些特性使其在追求高效率的开关电源拓扑，如PFC和DC-DC转换器中，表现出色。器件工作结温范围宽达-65°C至150°C，确保了在各种环境条件下的可靠运行。
- 型号:STF20NM60D
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 现在可以订购STF20NM60D，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
