STF21N90K5技术参数详情：
STF21N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心特性在于其高达900V的漏源电压（Vdss）与低至299毫欧的导通电阻（Rds(on)）的优异组合，在高压应用中能显著降低传导损耗。
在25°C壳温下，其连续漏极电流额定值为18.5A，最大功率耗散为40W，具备较强的电流处理能力。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为43nC，有助于实现快速开关并减少驱动损耗，提升系统整体效率。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温度范围内的稳定性和可靠性。
- 型号:STF21N90K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 900V 18.5A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:900 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1645 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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