STF21NM60N

STF21NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-220FP通孔封装，核心电气规格包括600V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温25°C下17A的连续漏极电流（Id）处理能力。

其技术优势主要体现在优异的导通性能上，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为220毫欧（测试条件：8.5A），这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在66nC，有助于实现高效的开关操作并简化驱动电路设计。这些特性使其成为要求高效率和可靠性的中高压功率转换应用的理想选择。

• 型号:STF21NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:66 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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