STF22NM60ND技术参数详情：
STF22NM60ND是ST意法半导体基于FDmesh II技术制造的N沟道功率MOSFET，属于通过AEC-Q101认证的汽车级产品系列。该器件核心优势在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）和17A的连续漏极电流（Id）能力，结合低至220毫欧（典型值）的导通电阻，为高电压、大电流开关应用提供了优异的效率基础。
其电气参数经过优化，最大栅极电荷（Qg）仅为60nC，有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。采用TO-220FP封装，支持通孔安装，便于散热设计，最高结温可达150°C，满足汽车及工业环境对高温可靠性的严格要求。这些特性使其成为汽车电子和工业电源系统中高性能功率开关的理想选择。
- 型号:STF22NM60ND
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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