STF23N80K5技术参数详情：
STF23N80K5是ST意法半导体MDmesh K5系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心特性在于其800V的高漏源电压（Vdss）与低至280毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这得益于其先进的垂直沟槽技术，旨在最大限度地降低传导损耗。
其电气参数针对高效率开关应用进行了优化，包括16A的连续漏极电流能力以及仅33nC的低栅极电荷（Qg），后者有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。器件采用TO-220FP绝缘封装，便于散热器安装，并支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STF23N80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 16A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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