STP8NM60技术参数详情：
STP8NM60是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-220AB封装，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心额定参数为650V漏源电压（Vdss）和8A连续漏极电流（Id），具备处理较高功率的能力。
其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好平衡。在10V驱动下，其导通电阻最大值为1欧姆，有助于减少导通损耗。同时，最大18nC的栅极电荷利于实现快速开关并降低驱动损耗，适用于对效率有要求的开关电源应用。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）也保证了其在恶劣环境下的可靠性。
- 型号:STP8NM60
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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