STF23NM60N技术参数详情：
STF23NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格为600V漏源电压和19A连续漏极电流，专为高压、大电流开关应用而设计。
其技术核心在于实现了优异的性能平衡：180毫欧的低导通电阻有效降低了导通损耗，而仅60nC的低栅极电荷则确保了快速的开关瞬态和较低的驱动损耗。这些特性使其在硬开关拓扑中能显著提升效率。此外，器件支持高达150°C的结温工作，具备良好的热可靠性。
- 型号:STF23NM60N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 19A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 9.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 现在可以订购STF23NM60N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
