STW54NK30Z技术参数详情：
STW54NK30Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247-3通孔封装，核心设计旨在提供优异的功率处理能力与开关效率。
其关键电气参数包括300V的漏源电压（Vdss）和高达54A（Tc）的连续漏极电流（Id）额定值，能够胜任高压大电流的开关任务。器件在10V栅极驱动下具有极低的导通电阻（Rds(on)），显著降低了导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）有助于提升开关速度并减少驱动损耗，使其成为高效率功率转换应用的理想选择。
- 型号:STW54NK30Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 300V 54A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:300 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):54A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 27A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:221 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4960 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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