STF24N60M6技术参数详情：
STF24N60M6是ST意法半导体基于其MDmesh M6技术开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220FP封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和17A的连续漏极电流（Id）处理能力，专为要求高耐压和高效率的功率转换应用而设计。
其技术优势主要体现在MDmesh M6平台带来的优异开关性能与低导通损耗的结合上。这使得它非常适用于开关电源（SMPS）、电机控制和UPS系统等需要在高频下高效、可靠运行的场合，有助于工程师实现更紧凑、能效更高的电源解决方案。
- 型号:STF24N60M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tj）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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