STF26NM60ND技术参数详情：
STF26NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与21A连续漏极电流（Id），为高压大电流开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的导通特性，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值低至175毫欧，这能有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，54.6nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗。这些特性使其非常适合用于要求高效率与可靠性的功率转换领域，如开关电源、电机驱动和工业逆变系统。
- 型号:STF26NM60ND
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:175 毫欧 @ 10.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54.6 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1817 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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