STB20NM60D

STB20NM60D是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh产品系列。该器件采用D2PAK表面贴装封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）与20A连续漏极电流（Id），专为高压、大电流开关应用而优化。

其技术优势主要体现在低损耗特性上，导通电阻（Rds(on)）在10A/10V条件下典型值仅为290毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值控制在52nC。这些参数共同确保了器件在导通和开关过程中均能实现高效率，并有助于降低驱动电路的复杂性。其宽泛的工作结温范围（-65°C ~ 150°C）进一步保证了在苛刻环境下的稳定运行。

• 型号:STB20NM60D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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