STF2N95K5技术参数详情：
STF2N95K5是ST意法半导体SuperMESH5系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其950V的高漏源电压（Vdss）额定值，结合仅5欧姆（@10V，1A）的低导通电阻，为高压开关应用提供了优异的电气性能。
其技术亮点还包括极低的栅极电荷（10nC @10V），这直接转化为更快的开关速度和更低的驱动功率损耗。器件采用TO-220FP封装，最大功率耗散为20W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在工业级电源、PFC电路及照明驱动等应用中的高可靠性和稳定性。
- 型号:STF2N95K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 950V 2A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:950 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:105 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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