LET20030C技术参数详情：
LET20030C是ST意法半导体生产的一款采用M243封装的LDMOS射频功率晶体管。该器件设计用于高频高功率应用，其核心特性包括高达80V的额定电压、45W的射频输出功率以及13.9dB的功率增益，能够在2GHz的频率下稳定工作。
凭借9A的额定电流和28V的测试电压，该晶体管提供了强大的功率处理能力和良好的线性度，适用于对输出功率和效率有严格要求的场景。其参数配置使其成为构建稳健射频前端放大电路的理想选择之一。
- 型号:LET20030C
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:M243
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 28V M243
- 系列:-
- 包装:盒
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:2GHz
- 增益:13.9dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流（安培）:9A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:400 mA
- 功率 - 输出:45W
- 电压 - 额定:80 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:M243
- 供应商器件封装:M243
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