STF2NK60Z技术参数详情：
STF2NK60Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220FP通孔封装，核心电气规格包括600V的漏源电压（Vdss）和1.4A的连续漏极电流（Tc条件下），为高压中低电流开关应用提供了坚实的基础。
其技术优势主要体现在优化的动态与静态参数上。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有助于减少导通损耗。同时，极低的栅极电荷（最大10nC）和输入电容确保了快速的开关特性，有利于提升开关电源等应用的工作频率和效率。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，并具备20W的功率耗散能力，结合封装特性，展现了良好的可靠性设计。
- 型号:STF2NK60Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 700mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:170 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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