STW40N95DK5

STW40N95DK5是ST意法半导体MDmesh DK5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件核心优势在于其950V的高漏源电压（Vdss）与低至130毫欧（@10V，19A）的导通电阻（RDS(on)）的出色结合，这得益于其先进的超结技术，能有效降低传导损耗。

其38A（Tc）的连续漏极电流承载能力和450W（Tc）的功率耗散能力，确保了在高功率应用中的稳定运行。优化的栅极电荷（典型值100nC @10V）有助于实现高效率的快速开关，降低开关损耗。这些特性使其成为工业电源、PFC电路、UPS和太阳能逆变器等中高功率、高可靠性开关电源设计的理想选择。

• 型号:STW40N95DK5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3480 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
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