STF30NM50N技术参数详情：
STF30NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括500V的漏源击穿电压（Vdss）以及在25°C壳温下27A的连续漏极电流承载能力。
其技术亮点在于极低的导通损耗，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为115毫欧。同时，器件具备优化的开关特性，栅极电荷（Qg）低至94nC，有助于实现高效率的高频开关操作。该MOSFET采用坚固的TO-220FP通孔封装，最大功耗为40W，最高工作结温达150°C，确保了在工业级应用中的鲁棒性与可靠性。
- 型号:STF30NM50N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 27A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:115 毫欧 @ 13.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:94 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2740 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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