STW43NM60ND

STW43NM60ND是ST意法半导体推出的一款采用FDmesh技术的N沟道功率MOSFET，封装形式为TO-247-3。该器件核心优势在于其600V的高漏源电压（Vdss）与35A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高压大功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了优异的导通性能与开关特性的平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至88毫欧（@17.5A），能显著降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为145nC，有助于实现快速的开关速度并降低驱动损耗。这些参数共同指向了高效率与高功率密度的设计目标。

该器件适用于工业电源、电机驱动及UPS等需要高可靠性和高效能开关的场合，其255W（Tc）的功率耗散能力和150°C的最高工作结温确保了其在严苛环境下的稳定运行。

• 型号:STW43NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:145 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4300 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:255W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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