STF31N65M5

STF31N65M5是ST意法半导体MDmesh V系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。该器件核心优势在于其650V的高耐压与低损耗的出色结合，在10V驱动下导通电阻（Rds(on)）最大值仅为148mΩ，同时栅极电荷（Qg）低至45nC，这使其成为高效率开关应用的优选。

其22A的连续漏极电流能力和150°C的最高工作结温，确保了在严苛环境下的高可靠性与功率处理能力。这些特性使其特别适用于开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）及各类硬开关拓扑，旨在帮助设计工程师实现更高的功率密度和系统能效。

• 型号:STF31N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 22A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:148 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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