STL19N65M5技术参数详情：
STL19N65M5是ST意法半导体基于MDmesh V技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）与低至240毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，同时其栅极电荷（Qg）最大值仅为31nC，这共同确保了在高频开关应用中兼具低导通损耗和低开关损耗。
该MOSFET采用热性能优异的PowerFlat HV表面贴装封装，在管壳温度（Tc）条件下可支持高达90W的功率耗散和12.5A的连续漏极电流，工作结温高达150°C，展现了强大的功率处理能力和可靠性。这些特性使其成为适用于高效率、高功率密度开关电源和功率因数校正（PFC）等应用的理想功率开关解决方案。
- 型号:STL19N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（8x8）HV
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Ta），12.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:240 毫欧 @ 7.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），90W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
- 封装/外壳:4-PowerVDFN
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