STW20NM65N技术参数详情：
STW20NM65N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括650V的漏源电压（Vdss）和19A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。
其关键优势在于优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至190毫欧，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值70nC）确保了快速的开关瞬态，有助于提升系统整体效率并降低电磁干扰（EMI）。器件采用TO-247-3封装，支持良好的散热管理，适用于对效率和可靠性要求严苛的电源与电机控制解决方案。
- 型号:STW20NM65N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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