STF33N60DM2技术参数详情：
STF33N60DM2是ST意法半导体推出的MDmesh DM2系列N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。其核心优势在于结合了650V的高漏源击穿电压与优异的动态开关性能，为高压功率转换应用提供了高可靠性的解决方案。
该器件在10V栅极驱动下具备低导通电阻，配合43nC的典型栅极电荷，有效降低了导通与开关损耗，提升了系统整体能效。其24A的连续漏极电流能力和-55°C至150°C的宽结温工作范围，确保了其在工业级电源、电机驱动及新能源逆变等中高功率应用中的稳定表现。
- 型号:STF33N60DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1870 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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