STF3N62K3技术参数详情：
STF3N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于620V的漏源击穿电压（Vdss）与低至2.5欧姆的导通电阻（Rds(on)）的出色组合，有效降低了功率损耗。
此外，其极低的栅极电荷（Qg，最大13nC）确保了快速的开关速度，有助于提升系统效率并允许更高频率的操作。器件采用TO-220FP通孔封装，在壳温条件下支持2.7A连续电流和20W功耗，结温高达150°C，提供了优异的功率处理能力和热可靠性，适用于要求严苛的工业与消费类电源设计。
- 型号:STF3N62K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 620V 2.7A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:620 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:385 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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