STF2N80K5技术参数详情：
STF2N80K5是ST意法半导体SuperMESH5系列中的一款N沟道功率MOSFET，专为高压、高效率的开关应用而设计。其核心优势在于结合了800V的高漏源耐压（Vdss）与优异的动态性能，最大导通电阻（Rds(on)）低至4.5Ω @ 1A, 10V，有助于最小化导通损耗。
该器件特别注重开关性能的优化，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）极低，这直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗，有利于提升系统工作频率和功率密度。采用TO-220FP封装，在壳温条件下支持2A连续电流和20W功耗，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STF2N80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:95 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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