STF3NK80Z

STF3NK80Z是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格为800V漏源电压（Vdss）和2.5A连续漏极电流（Id），专为高压开关应用而优化。

其技术亮点在于实现了低导通电阻（4.5Ω @ 10V, 1.25A）与低栅极电荷（19nC @ 10V）的良好平衡，这有助于降低导通损耗和开关损耗，提升电源系统的整体效率。结合其宽工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和±30V的栅源电压耐受能力，该器件在可靠性及驱动鲁棒性方面表现出色。

• 型号:STF3NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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