STW50NB20技术参数详情：
STW50NB20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心参数包括200V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下50A的连续漏极电流（Id）处理能力。
其技术优势体现在优异的导通与开关特性上：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至55毫欧（@25A），有效降低了导通损耗；同时，115nC（@10V）的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，提升系统效率。器件设计稳健，支持±30V的栅源电压，最高结温达150°C，适用于要求高可靠性的功率开关场景。
- 型号:STW50NB20
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 50A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:115 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3400 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:280W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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