STF40N65M2

STF40N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh M2产品系列。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压（V_DSS）和32A的连续漏极电流（I_D）能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合。在10V V_GS下，导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为99毫欧，有效降低了传导损耗。同时，最大栅极电荷（Q_G）低至56.5nC，有助于实现高速开关并降低驱动损耗，从而提升系统整体效率。该器件采用TO-220FP封装，最高结温150°C，适用于要求高可靠性和高效率的功率转换设计。

• 型号:STF40N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 32A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2355 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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