STF42N60M2-EP技术参数详情：
STF42N60M2-EP是ST意法半导体MDmesh M2-EP系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。该器件核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）和34A的连续漏极电流（Id）额定值，结合先进的超结技术，实现了低至87毫欧的导通电阻（RDS(on)），显著降低了导通损耗。
此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为55nC，这有助于大幅降低开关损耗，提升高频开关应用的效率。器件支持高达150°C的结温工作，并具备40W的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的可靠性与稳健性。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和功率转换系统中高效功率开关的理想选择。
- 型号:STF42N60M2-EP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:87 毫欧 @ 17A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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