STF43N60DM2技术参数详情：
STF43N60DM2是ST意法半导体推出的MDmesh DM2系列N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的超结技术，在TO-220FP封装内实现了600V漏源电压与低至93毫欧（@10V， 17A）导通电阻的优异组合，旨在最小化传导损耗。
其电气参数针对高效功率开关进行了优化，包括34A的连续漏极电流能力、56nC的低栅极电荷以及宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）。这些特性使其能够显著提升开关电源和功率转换系统的效率与可靠性，是中高功率工业与消费类电源应用的理想解决方案。
- 型号:STF43N60DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:93 毫欧 @ 17A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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