STL8N10LF3技术参数详情：
STL8N10LF3是ST意法半导体推出的一款通过AEC-Q101认证的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用STripFET III技术，在PowerFlat（5x6）封装内集成了高性能的功率处理能力，其核心卖点在于优异的导通与开关特性平衡。
它提供100V的漏源电压和20A的连续漏极电流，而导通电阻（RDS(on)）在10V驱动下最大仅为35毫欧，有效降低了导通损耗。同时，其低至20.5nC的栅极电荷确保了快速开关性能，适合高频应用。器件支持-55°C至175°C的宽结温范围，并具备70W（Tc）的高功率耗散能力，专为要求高可靠性和高效率的严苛环境设计。
- 型号:STL8N10LF3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:970 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:4.3W（Ta），70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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