STF5N62K3

STF5N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心参数包括620V的漏源电压（Vdss）和4.2A的连续漏极电流（Tc），为系统提供了坚实的耐压与载流基础。

其技术优势体现在优化的动态与静态性能上。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至1.6欧姆，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值26nC）和输入电容（Ciss，最大值680pF）确保了快速的开关瞬态，有利于提升开关频率和整体效率。器件采用TO-220FP通孔封装，最大功耗25W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了在广泛环境下的可靠运行。

• 型号:STF5N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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