DSM2150F5V-12T6技术参数详情：
DSM2150F5V-12T6是ST意法半导体生产的一款4Mb容量并行接口闪存芯片。它采用512K x 8位的存储结构，提供120ns的快速访问时间，能够有效提升系统读取效率。
该芯片工作在3V至3.6V电压范围内，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度，具备良好的环境适应性。其80-TQFP表面贴装封装适用于空间受限的嵌入式设计，为非易失性程序与数据存储提供了可靠的解决方案。
- 型号:DSM2150F5V-12T6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:80-TQFP（12x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 80TQFP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存
- 存储容量:4Mb
- 存储器组织:512K x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:120 ns
- 电压 - 供电:3V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:80-TQFP
- 供应商器件封装:80-TQFP（12x12）
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