STF6N65K3

STF6N65K3是ST意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。该器件核心参数包括650V的漏源电压（Vdss）和5.4A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态性能平衡：在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.3欧姆，同时栅极电荷（Qg）最大值低至35nC。这种低Rds(on)与低Qg的组合，显著降低了导通与开关损耗，有助于实现更高效率的功率转换。该器件适用于对能效和可靠性有严苛要求的工业级电源与电机控制应用。

• 型号:STF6N65K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5.4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:880 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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