STD12NF06T4技术参数详情：
STD12NF06T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET II产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心电气参数包括60V的漏源电压（Vdss）和高达12A（Tc）的连续漏极电流处理能力。
其技术优势主要体现在优异的导通特性上，在10V栅极驱动下导通电阻（Rds(On)）最大值仅为100毫欧（@6A），同时栅极电荷（Qg）最大值低至12nC（@10V）。这种低Rds(On)与低Qg的组合，有效平衡了传导损耗与开关损耗，为提升系统效率提供了关键支持。器件结温工作范围宽（-55°C ~ 175°C），适用于要求高可靠性的各类功率开关应用。
- 型号:STD12NF06T4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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