STF6N68K3技术参数详情：
STF6N68K3是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP通孔封装。该器件专为高压环境设计，其核心卖点在于高达680V的漏源电压（Vdss）评级，提供了强大的耐压能力，能够有效抵御开关过程中的电压应力。
此外，器件优化的导通电阻与栅极电荷特性，有助于在开关电源和电机驱动等应用中降低导通损耗与开关损耗，从而提升整体系统效率。其坚固的封装形式也确保了良好的功率耗散能力和热可靠性，适用于需要高稳健性的工业级功率转换场景。
- 制造商产品型号：STF6N68K3
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 680V TO220FP
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：-
- 技术：-
- 漏源电压（Vdss）：-
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：-
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-220FP
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