STF7N65M6技术参数详情：
STF7N65M6是ST意法半导体MDmesh M6系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP绝缘封装。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压额定值，结合了优化的低导通电阻特性，能够在高压应用中显著降低传导损耗。
其技术参数表现出色，在10V栅极驱动下具备较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这确保了快速的开关性能，有助于减少开关损耗，提升高频电源转换效率。器件在壳温25°C下可支持5A的连续漏极电流，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于严苛的工业环境。
- 型号:STF7N65M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:990毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.9 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:220 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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