STF7N90K5技术参数详情：
STF7N90K5是ST意法半导体基于MDmesh K5技术开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高压环境，其核心特性包括900V的漏源电压（Vdss）和7A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。
其技术优势在于实现了导通电阻与栅极电荷的良好折衷，有助于降低开关损耗和传导损耗，从而提升系统整体效率。器件采用TO-220FP通孔封装，最大功率耗散为110W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在 demanding 应用中的可靠性和热稳定性。
- 型号:STF7N90K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 900V 7A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:900 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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