STF7NM60N

STF7NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Id），为高压中等电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至900毫欧，有助于最小化传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，典型值14nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，使其非常适合高频开关电源拓扑。这些特性共同指向了高能效与高功率密度的设计目标。

该器件工作结温高达150°C，具备良好的热性能与可靠性，主要面向开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）、照明和工业控制等领域的功率开关应用，是追求效率与可靠性的设计的理想选择。

• 型号:STF7NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
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