STGWA30N120KD技术参数详情：
STGWA30N120KD是ST意法半导体推出的一款1200V、60A的IGBT，隶属于PowerMESH产品系列，采用TO-247封装。该器件集成了快速恢复二极管，最大功耗为220W，工作结温范围覆盖-55°C至125°C。
其核心优势在于优异的电气特性平衡：3.85V @ 15V，20A的低导通压降有助于减少导通损耗，而105nC的低栅极电荷与2.4mJ/4.3mJ的开关能量则共同确保了高效的开关性能。这些特性使其能够在高频开关条件下稳定工作，适用于对效率和可靠性有严苛要求的功率电子系统。
- 型号:STGWA30N120KD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 1200V 60A TO-247
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:3.85V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值:220 W
- 开关能量:2.4mJ（导通），4.3mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:105 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/251ns
- 测试条件:960V，20A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):84 ns
- 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247
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